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          研究碳化硅襯底和外延的實驗報告

          研究碳化硅襯底和外延的實驗報告

          摘要 本發明提供一種能夠提供低位錯缺陷的高質量襯底的單晶碳化硅錠,和由此獲得的襯底和外延晶片。 它是一種包含單晶碳化硅的單晶碳化硅錠,該單晶碳化硅含有濃度為2X1018 cm-3至6X 1020...

          2022-02-15 標簽:晶圓襯底鍍膜碳化硅 151

          60億美元!英特爾計劃斥資收購以色列高塔半導體 IDM2.0戰略加速推進

          60億美元!英特爾計劃斥資收購以色列高塔半導體 IDM2.0戰略加速推進

          據外媒報道,英特爾計劃斥資約 60 億美元收購全球排名第九的以色列高塔半導體 (Tower Semiconductor)。受此消息激勵,高塔半導體周一盤后股價噴漲超過 48%,目前市值逾 35 億美元。英特爾盤后小...

          2022-02-15 標簽:IntelIDM2.0 945

          普萊信推出完整Clip Bond工藝封裝設備產品線

          報道,功率器件及第三代半導體是當前的半導體產業技術追逐的熱點,也是國內半導體產業中最有希望能夠趕超世界先進技術的領域之一。...

          2022-02-15 標簽:集成電路半導體封裝 341

          三星的計劃要暫緩了?半導體供應鏈競爭加劇,并購潮進入冷靜期

          三星的計劃要暫緩了?半導體供應鏈競爭加劇,并購潮進入冷靜期

          電子發燒友網報道(文/莫婷婷)相對于其他韓國企業,三星最被人熟知的形象就是資本實力雄厚,目前三星在業內開展大規模的收購,或者是入股多家半導體企業。2021年年底,三星電子共同...

          2022-02-15 標簽: 953

          【節能學院】電氣火災監控系統在德令哈市新能源有軌電車示范線工程的應用

          【節能學院】電氣火災監控系統在德令哈市新能源有軌電車示范線工程的應用

          點擊藍字關注我們摘要介紹德令哈市新能源有軌電車示范線工程采用剩余電流式電氣火災探測器,就地組網方式,通過現場總線通訊遠傳至后臺,從而實現剩余電流式電氣火災監控系統的搭建,...

          2021-11-19 標簽:監控系統 57

          缺芯雪上加霜,蘇州疫情爆發!聯電和艦工廠停工,車用/顯示/電源芯片供應預警

          缺芯雪上加霜,蘇州疫情爆發!聯電和艦工廠停工,車用/顯示/電源芯片供應預

          電子發燒友網報道(文/吳子鵬)2月14日,江蘇省蘇州市發布《蘇州市疫情防控2022年第7號通知》(以下簡稱:通知)。通知指出,2月13日晚,蘇州市在發熱門診就診患者和“愿檢盡檢”人員中,...

          2022-02-15 標簽:電源芯片聯電和艦科技 4193

          谷泰微CEO看2022:市場將考驗每家公司的產品定義、設計、供應和技術支持能力

          谷泰微CEO看2022:市場將考驗每家公司的產品定義、設計、供應和技術支持能力

          經歷了2021的全球缺芯潮,我們迎來了2022 年,今年,世衛組織認為新冠疫情會得到控制,隨著疫情影響減弱,以及AIOT、智慧家居市場、老年健康市場走熱,半導體產業會有哪些新的變化?谷泰...

          2022-02-14 標簽:adc無線通信智慧家居谷泰微 926

          前有上海微電子被列“清單”,后有ASML控訴,半導體設備國產化難度升級

          前有上海微電子被列“清單”,后有ASML控訴,半導體設備國產化難度升級

          電子發燒友網報道(文/吳子鵬)北京時間2月7日,上海微電子裝備(集團)股份有限公司(以下簡稱:上海微電子)為國內首臺2.5D / 3D先進封裝光刻機舉行了發運儀式,對于這款設備大家其實都...

          2022-02-11 標簽:光刻機ASML上海微電子 2766

          Ashling RiscFree? 整合開發工具鏈宣布支持晶心科技RISC-V處理器

          2022年2月10日─Ashling和晶心科技共同宣布Ashling RiscFree?整合開發工具鏈將擴大支持晶心全系列RISC-V CPU IP,包括針對性能優化的AndeStar? V5 Performance ISA擴展和針對代碼大小縮減的CoDense? ISA擴展。...

          2022-02-10 標簽:處理器cpuRISC-V 1230

          柔性振動盤視覺上料系統

          柔性振動盤視覺上料系統

          柔性振動盤是一種適用于工業自動化生產中99%的小型零部件散料排列上料的,它又叫柔性上料盤、柔性振盤、柔性供料器等。弗萊克斯柔性振動盤有五種規格,分別是FF100-FF500,能夠解決大小不一...

          2021-02-20 標簽:振動盤 396

          GaN襯底制造過程中N面氮化鎵清洗工藝的研究報告

          GaN襯底制造過程中N面氮化鎵清洗工藝的研究報告

          氮化鎵由于其寬的直接帶隙、高熱和化學穩定性,已成為短波長發射器(發光二極管和二極管激光器)和探測器等許多光電應用的誘人半導體,以及高功率和高溫電子器件。對于實現先進的氮化...

          2022-02-08 標簽:氮化鎵CMPGaN襯底 489

          SPM光刻工藝的研究報告

          SPM光刻工藝的研究報告

          在這篇文章中,我們華林科納演示了在鈦薄膜上形成納米尺度陽極氧化物的設備,以及在接觸或半接觸模式下使用NTMDT公司的求解器PROTM AFM對其進行表征。...

          2022-02-08 標簽:電極光刻光刻機 495

          薄膜MLCC的技術報告

          薄膜MLCC的技術報告

          本文討論了傳統MLCC技術的最新技術,并將該技術與潛在的MLCC薄膜制造技術進行了比較,討論了MLCC制造、相關限制、潛在制造技術和設計理念方面的薄膜技術的實用性。同時還考慮了電子行業的...

          2022-02-08 標簽:電容納米技術MLCC納米 446

          一種LTCC襯板上的膜型壓電閥設計方案

          一種LTCC襯板上的膜型壓電閥設計方案

          本研究開發了一種LTCC襯板上的膜型壓電閥,設計制造了一種單變形壓動器和一種互補的三維陶瓷結構,閥門的性能通過氣體流量、執行器位移和開關時間來描述,在進一步開發中,主動壓電閥...

          2022-02-08 標簽:三維基板組裝 356

          碳化硅和碳氮化硅薄膜的沉積方法

          碳化硅和碳氮化硅薄膜的沉積方法

          摘要 本文提供了在襯底表面上沉積碳化硅薄膜的方法。這些方法包括使用氣相碳硅烷前體,并且可以釆用等離子體增強原子層沉積工藝。該方法可以在低于600“C的溫度下進行,例如在大約23丁...

          2022-02-07 標簽:半導體碳化硅電沉積 274

          東芝新推出的1200V和1700V碳化硅MOSFET模塊

          ?東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)已推出兩款碳化硅(SiC) MOSFET雙模塊:額定電壓為1200V、額定漏極電流為600A的“MG600Q2YMS3”;額定電壓為1700V、額定漏極電流為400A的“MG400V2YMS3”...

          2022-02-01 標簽:MOSFET東芝IGBT碳化硅 1820

          使用超臨界二氧化碳剝離碳化光刻膠的實驗

          使用超臨界二氧化碳剝離碳化光刻膠的實驗

          關鍵詞:超臨界清洗,離子注入光刻膠,光刻膠剝離 摘要 本文提出了一種有效的、環保的干剝離方法,使用超臨界二氧化碳(SCCO2)系統,在40℃到100℃和壓力從90巴到340巴時去除離子植入的光刻劑...

          2022-01-27 標簽:半導體晶圓化學光刻膠 1195

          關于硅的濕化學蝕刻機理的研究報告

          關于硅的濕化學蝕刻機理的研究報告

          摘要 本文從晶體生長科學的角度回顧了單晶的濕化學蝕刻。起點是有光滑和粗糙的晶體表面。光滑面的動力學是由粗糙面上不存在的成核勢壘控制的。因此后者蝕刻速度更快數量級。對金剛石...

          2022-01-25 標簽:半導體晶體化學蝕刻蝕刻工藝 1114

          關于薄膜金剛石的化學機械拋光的研究報告

          關于薄膜金剛石的化學機械拋光的研究報告

          摘要 納米晶金剛石(NCD)可以保留單晶金剛石的優越楊晶模量(1100GPa),以及在低溫下生長的能力(450C),這推動了NCD薄膜生長和應用的復興。然而,由于晶體的競爭生長,所產生的薄膜的粗糙度隨著...

          2022-01-25 標簽:機械晶圓化學金剛石拋光 1082

          關于硫酸-過氧化氫-水系統中砷化鎵的化學蝕刻研究報告

          關于硫酸-過氧化氫-水系統中砷化鎵的化學蝕刻研究報告

          摘要 我們華林科納對h2so4-h202-h20體系中(100)砷化鎵的蝕刻情況進行了詳細的研究。研究了特定蝕刻劑成分的濃度對蝕刻速率和晶體表面形狀的影響。從這些結果中,蝕刻浴組成的吉布斯三角形...

          2022-01-25 標簽:半導體化學蝕刻砷化鎵蝕刻工藝 820

          長電科技發出預增公告,2021業績豐收已無懸念

          在2021年的前三季度,長電科技延續了自2020年以來的快速發展勢頭,專業化、國際化管理所帶來的盈利能力與運營效率提升效果仍在持續釋放,企業營收和利潤一再打破歷史同期紀錄。因此,對...

          2022-01-25 標簽:半導體SiP封裝封測長電科技 3175

          關于氧化鋅的基本性質和應用的報告

          關于氧化鋅的基本性質和應用的報告

          本文概述了氧化鋅的基本性質,包括晶體結構、能帶結構和熱性質,并介紹了其應用前景、氧化鋅塊體、薄膜和納米結構,氧化鋅的機械性質、基本電子和光學性質以及潛在的應用。 晶體結構...

          2022-01-18 標簽:顯示器半導體晶體氧化鋅 567

          吉方定制化服務,持續為客戶提升價值

          吉方定制化服務,持續為客戶提升價值

          吉方工控擁有完善的供應鏈體系,多年來與英特爾保持戰略合作關系,與國產芯片廠商也有良好的互動。在以客戶為導向的工作原則指導下,我們對供應鏈進行了科學的管理和嚴格的品控。...

          2022-01-17 標簽:cpu吉方工控 260

          Transphorm的快速充電器和電源適配器用GaN器件

          高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉換產品的先驅和全球供應商Transphorm, Inc. (OTCQX: TGAN)今天宣布,該公司2021年12月份的SuperGaN? Gen IV場效應晶體管(FET)出貨量突破100萬大關。這一里程碑進一步證實...

          2022-01-16 標簽:充電器FET電源適配器GaNTransphorm 2162

          半導體硅太陽能電池基板的濕化學處理及電子界面特性

          半導體硅太陽能電池基板的濕化學處理及電子界面特性

          引言 硅(Si)在半導體器件制造中的大多數技術應用都是基于這種材料的特定界面性能。二氧化硅(二氧化硅)可以通過簡單的氧化方法在硅表面制備,其特點是高化學和電穩定性。晶體硅在光伏...

          2022-01-13 標簽:太陽能半導體電子硅片電池 1161

          用于刻蝕多晶硅表面的HF-HNO3-H2SO4/H2O混合物

          用于刻蝕多晶硅表面的HF-HNO3-H2SO4/H2O混合物

          硅表面常用的HF-HNO3-H2O蝕刻混合物的反應行為因為硫酸加入而受到顯著影響。HF (40%)-HNO3 (65%)-H2SO4 (97%)混合物的最大蝕刻速率為4000–5000 NMS-1,w (40%-HF)/w (65%-HNO3)比為2比4,w (97%-H2SO4)0.3.對于較高濃...

          2022-01-13 標簽:多晶硅半導體晶圓刻蝕刻蝕工藝 594

          半導體有機酸清洗液中的銅的蝕刻速率和氧化機理分析

          半導體有機酸清洗液中的銅的蝕刻速率和氧化機理分析

          引言 用電化學和原子力顯微鏡方法對有機酸與銅的相互作用進行了表征可以建立用于濕銅加工的高效清洗公式。本文研究了單有機酸、二有機酸和三有機酸中銅的蝕刻速率和氧化機理。除了草...

          2022-01-13 標簽:半導體電化學蝕刻清洗蝕刻工藝 383

          DB HiTek憑借RF SOI/HRS工藝拓展射頻前端業務

          DB HiTek已宣布通過基于130/110納米技術的射頻絕緣體上硅(RF SOI)和射頻高電阻率襯底(RF HRS)工藝來拓展射頻前端業務。 射頻前端是無線通信的必備器件,其負責IT設備之間的發射(Tx)和接收(Rx),并廣...

          2022-01-13 標簽:射頻射頻芯片SOI射頻前端智能硬件 1941

          蝕刻工藝關于濕化學處理后InP表面的研究

          蝕刻工藝關于濕化學處理后InP表面的研究

          引言 本文將討論在不同的濕化學溶液中浸泡后對InP表面的氧化物的去除。本文將討論接收襯底的各種表面成分,并將有助于理解不同的外原位濕化學處理的影響。這項工作的重點將是酸性和堿...

          2022-01-12 標簽:InP技術化學蝕刻物理襯底 657

          關于晶體硅太陽能電池單面濕法化學拋光的方法

          關于晶體硅太陽能電池單面濕法化學拋光的方法

          引言 高效太陽能電池需要對硅片的正面和背面進行單獨處理。在現有技術中,電池的兩面都被紋理化,導致表面相當粗糙,這對背面是不利的。因此,在紋理化后直接引入在線單面拋光步驟。...

          2022-01-12 標簽:太陽能電池太陽能半導體晶體硅拋光 357

          O極和Zn極ZnO單晶的蝕刻行為

          O極和Zn極ZnO單晶的蝕刻行為

          引言 氧化鋅是最廣泛研究的纖鋅礦半導體之一。氧化鋅不僅作為單晶,而且以多晶薄膜的形式。其顯著的性能,如寬直接帶隙3.37 eV,大結合強度內聚能1.89 eV,熔點2248 K,高激子結合能60 meV,即...

          2022-01-12 標簽:晶圓單晶蝕刻 346

          在氯化鈉-異丙醇溶液中的表面鈍化和形態

          在氯化鈉-異丙醇溶液中的表面鈍化和形態

          引言 原子平面的制備是半導體基板上原子尺度操作的必要前提。由于自組裝現象或使用原子探針技術操縱單個原子,只有原子平面的表面才能產生可重復制造納米級原子結構的機會。原子平坦...

          2022-01-10 標簽:半導體砷化鎵鈍化拋光 293

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